Thin Al films sputtered on n-silicon wafers were anodized in two potentiodynamic steps in <mml:math display="inline"><mml:mrow><mml:mn>0.4</mml:mn><mml:mspace width="0.3em"></mml:mspace><mml:mi mathvariant="normal">M</mml:mi></mml:mrow></mml:math>0.4M tartaric acid at <mml:math display="inline"><mml:mrow><mml:mn>210</mml:mn><mml:mspace width="0.3em"></mml:mspace><mml:mi mathvariant="normal">V</mml:mi></mml:mrow></mml:math>210V and <mml:math display="inline"><mml:mrow><mml:mn>0.4</mml:mn><mml:mspace width="0.3em"></mml:mspace><mml:mi mathvariant="normal">M</mml:mi></mml:mrow></mml:math>0.4M malonic acid at <mml:math display="inline"><mml:mrow><mml:mn>95</mml:mn><mml:mspace width="0.3em"></mml:mspace><mml:mi mathvariant="normal">V</mml:mi></mml:mrow></mml:math>95V to prepare nanoporous alumina templates of type A and B, respectively. Processes at the <mml:math display="inline"><mml:mrow><mml:mi>Al</mml:mi><mml:mo>∕</mml:mo><mml:mi mathvariant="normal">n</mml:mi><mml:mtext>-</mml:mtext><mml:mi>Si</mml:mi></mml:mrow></mml:math>Al∕n-Si interface were closely examined to avoid field-assisted alumina dissolution during anodizing. <mml:math display="inline"><mml:mrow><mml:msub><mml:mi>WO</mml:mi><mml:mrow><mml:mn>3</mml:mn></mml:mrow></mml:msub></mml:mrow></mml:math>WO3 semiconductor layers were radio-frequency magnetron sputtered onto the as-anodized and pore-widened templates. It was revealed that the sputtered <mml:math display="inline"><mml:mrow><mml:msub><mml:mi>WO</mml:mi><mml:mrow><mml:mn>3</mml:mn></mml:mrow></mml:msub></mml:mrow></mml:math>WO3 layers covered the entire surface of type A templates while only partly penetrating into the widened pores of type B templates. The <mml:math display="inline"><mml:mrow><mml:msub><mml:mi>WO</mml:mi><mml:mrow><mml:mn>3</mml:mn></mml:mrow></mml:msub></mml:mrow></mml:math>WO3 layers crystallized at <mml:math display="inline"><mml:mrow><mml:mn>350</mml:mn><mml:mo>°</mml:mo><mml:mi mathvariant="normal">C</mml:mi></mml:mrow></mml:math>350°C , with monoclinic phase of <mml:math display="inline"><mml:mrow><mml:mi>P</mml:mi><mml:msub><mml:mrow><mml:mn>2</mml:mn></mml:mrow><mml:mrow><mml:mn>1</mml:mn></mml:mrow></mml:msub><mml:mo>∕</mml:mo><mml:mi>n</mml:mi></mml:mrow></mml:math>P21∕n symmetry and an average crystallite size of <mml:math display="inline"><mml:mrow><mml:mn>28.0</mml:mn><mml:mspace width="0.3em"></mml:mspace><mml:mi>nm</mml:mi></mml:mrow></mml:math>28.0nm (type A) and <mml:math display="inline"><mml:mrow><mml:mn>32.5</mml:mn><mml:mspace width="0.3em"></mml:mspace><mml:mi>nm</mml:mi></mml:mrow></mml:math>32.5nm (type B). Amorphous alumina in the <mml:math display="inline"><mml:mrow><mml:msub><mml:mi>Al</mml:mi><mml:mrow><mml:mn>2</mml:mn></mml:mrow></mml:msub><mml:msub><mml:mi mathvariant="normal">O</mml:mi><mml:mrow><mml:mn>3</mml:mn></mml:mrow></mml:msub><mml:mo>∕</mml:mo><mml:mi mathvariant="normal">n</mml:mi><mml:mtext>-</mml:mtext><mml:mi>Si</mml:mi></mml:mrow></mml:math>Al2O3∕n-Si systems did not crystallize up to <mml:math display="inline"><mml:mrow><mml:mn>1200</mml:mn><mml:mo>°</mml:mo><mml:mi mathvariant="normal">C</mml:mi></mml:mrow></mml:math>1200°C . The common trend for the <mml:math display="inline"><mml:mrow><mml:msub><mml:mi>WO</mml:mi><mml:mrow><mml:mn>3</mml:mn></mml:mrow></mml:msub><mml:mo>∕</mml:mo><mml:msub><mml:mi>Al</mml:mi><mml:mrow><mml:mn>2</mml:mn></mml:mrow></mml:msub><mml:msub><mml:mi mathvariant="normal">O</mml:mi><mml:mrow><mml:mn>3</mml:mn></mml:mrow></mml:msub><mml:mo>∕</mml:mo><mml:mi mathvariant="normal">n</mml:mi><mml:mtext>-</mml:mtext><mml:mi>Si</mml:mi></mml:mrow></mml:math>WO3∕Al2O3∕n-Si systems was a preferential growth of <mml:math display="inline"><mml:mrow><mml:msub><mml:mi>WO</mml:mi><mml:mrow><mml:mn>3</mml:mn></mml:mrow></mml:msub></mml:mrow></mml:math>WO3 nanocrystallites in the <mml:math display="inline"><mml:mrow><mml:mo>⟨</mml:mo><mml:mn>100</mml:mn><mml:mo>⟩</mml:mo></mml:mrow></mml:math>⟨100⟩ direction, the texture increasing with further pore widening. Besides, the crystal texture in the <mml:math display="inline"><mml:mrow><mml:msub><mml:mi>WO</mml:mi><mml:mrow><mml:mn>3</mml:mn></mml:mrow></mml:msub></mml:mrow></mml:math>WO3 layer was systematically higher on type B templates. The link between the structural features and the gas-sensing ability of the <mml:math display="inline"><mml:mrow><mml:msub><mml:mi>WO</mml:mi><mml:mrow><mml:mn>3</mml:mn></mml:mrow></mml:msub><mml:mo>∕</mml:mo><mml:msub><mml:mi>Al</mml:mi><mml:mrow><mml:mn>2</mml:mn></mml:mrow></mml:msub><mml:msub><mml:mi mathvariant="normal">O</mml:mi><mml:mrow><mml:mn>3</mml:mn></mml:mrow></mml:msub><mml:mo>∕</mml:mo><mml:mi mathvariant="normal">n</mml:mi><mml:mtext>-</mml:mtext><mml:mi>Si</mml:mi></mml:mrow></mml:math>WO3∕Al2O3∕n-Si systems has been discussed.