Explore full metrics on Scilit
(Calculated once Scilit publication data is synced: current year − year of first publication + 1)
<mml:math display="inline"><mml:mrow><mml:msub><mml:mrow><mml:mtext>Bi</mml:mtext></mml:mrow><mml:mrow><mml:mn>2</mml:mn></mml:mrow></mml:msub><mml:msub><mml:mrow><mml:mtext>Te</mml:mtext></mml:mrow><mml:mrow><mml:mn>3</mml:mn></mml:mrow></mml:msub></mml:mrow></mml:math>Bi2Te3 is presented. The specific contact resistivity is obtained using the transfer length method. It is observed that in situ sputter cleaning using Ar bombardment before metal deposition gives a surface free of oxides and other contaminants. This surface treatment reduces the contact resistivity by more than 10 times for both Ni and Co contacts. Postdeposition annealing at <mml:math display="inline"><mml:mrow><mml:mn>100</mml:mn><mml:mo>°</mml:mo><mml:mi mathvariant="normal">C</mml:mi></mml:mrow></mml:math>100°C on samples that were sputter-cleaned further reduces the contact resistivity to <mml:math display="inline"><mml:mrow><mml:mo><</mml:mo><mml:msup><mml:mrow><mml:mn>10</mml:mn></mml:mrow><mml:mrow><mml:mo>−</mml:mo><mml:mn>7</mml:mn></mml:mrow></mml:msup><mml:mspace width="0.5em"></mml:mspace><mml:mi>Ω</mml:mi><mml:mspace width="0.5em"></mml:mspace><mml:msup><mml:mrow><mml:mtext>cm</mml:mtext></mml:mrow><mml:mrow><mml:mn>2</mml:mn></mml:mrow></mml:msup></mml:mrow></mml:math><10−7Ωcm2 for both Ni and Co contacts to <mml:math display="inline"><mml:mrow><mml:msub><mml:mrow><mml:mtext>Bi</mml:mtext></mml:mrow><mml:mrow><mml:mn>2</mml:mn></mml:mrow></mml:msub><mml:msub><mml:mrow><mml:mtext>Te</mml:mtext></mml:mrow><mml:mrow><mml:mn>3</mml:mn></mml:mrow></mml:msub></mml:mrow></mml:math>Bi2Te3 . Co as a suitable contact metal to <mml:math display="inline"><mml:mrow><mml:msub><mml:mrow><mml:mtext>Bi</mml:mtext></mml:mrow><mml:mrow><mml:mn>2</mml:mn></mml:mrow></mml:msub><mml:msub><mml:mrow><mml:mtext>Te</mml:mtext></mml:mrow><mml:mrow><mml:mn>3</mml:mn></mml:mrow></mml:msub></mml:mrow></mml:math>Bi2Te3 is reported. Co provided similar contact resistance values as Ni, but had better adhesion and less diffusion into the thermoelectric material, making it a suitable candidate for contact metallization to <mml:math display="inline"><mml:mrow><mml:msub><mml:mrow><mml:mtext>Bi</mml:mtext></mml:mrow><mml:mrow><mml:mn>2</mml:mn></mml:mrow></mml:msub><mml:msub><mml:mrow><mml:mtext>Te</mml:mtext></mml:mrow><mml:mrow><mml:mn>3</mml:mn></mml:mrow></mml:msub></mml:mrow></mml:math>Bi2Te3 based devices.