The CuFe₂O₄ photocatalysts were synthesized by the solution combustion synthesis method, followed by heat treatment at a temperature range of 400 to 1100 °C. Later, they were characterized for application in the photodegradation of synthetic dyes under visible radiation. The X-ray diffraction results showed the presence of cubic and tetragonal phases of CuFe₂O₄ and secondary phases of Fe₂O₃ and CuO, at low temperatures. The infrared spectrum profile confirms the formation of the phases pointed out in the XRD. For most specimens, the scanning electron microscopy examination revealed a morphology similar to porous flakes and a quasi-spherical shape. On the other hand, samples heat-treated at 1100 °C displayed a plate-like morphology. The specimens’ band gap ranged from 1.49 to 1.58 eV, indicating that the material is a semiconductor. Regarding the photocatalytic efficiency, the 400 °C heat-treated samples showed better activity when the visible irradiation was used over the green malachite and rhodamine B dyes. The solution degradation rates on the first and former dyes were 56.60% and 84.30%, respectively.

An investigation was made of the microstructural and electrical properties of SnO2-based varistors microwave sintered at 1200 ºC, applying a heating rate of 120 ºC/min and treatment times of 10, 20, 30, 40, 50 and 60 min. The system used in this study was (98.95-X) %SnO2.1.0%CoO.0.05%Cr2O3.X%Ta2O5, where X corresponds to 0.05 and 0.065 mol%. Sintering was carried out in a domestic microwave oven (2.45 GHz) fitted for lab use. Silicon carbide was placed in a refractory vessel to form a heating chamber surrounding the sample holder. The pellets were examined by scanning electron microscopy, X-ray diffractometry, direct current measurements and impedance spectroscopy. The parameters of density, medium grain size, coefficient of nonlinearity, breakdown electrical field, leakage current, and height and width of the potential barrier were analyzed.

Varistores são elementos que fazem parte do sistema de transmissão e distribuição de energia elétrica ou de instalações elétricas especiais. Estes dispositivos são amplamente produzidos variando a escala, dependendo de sua aplicação, como dispositivos de baixa voltagem, com poucos grãos, exibindo ruptura de alguns volts, a vários kilovolts como usado em para-raios em rede de distribuição de energia. A física de operação dos varistores tem sido amplamente estudada e tem elementos comuns como barreiras Schottky formado na junção metal/semicondutor. Vários estudos têm sido desenvolvidos a fim de obter cerâmicas varistoras para aplicação em alta e baixa tensão. Dentre esses estudos encontram-se os varistores a base de ZnO, SnO₂, TiO₂ e mais recentemente os de WO₃. Diferente das três composições citadas, os a base de WO₃ apresentam comportamento varistor intrínseco devido a presença das fases monoclínica e triclínica. A adição de dopantes doadores e aceitadores de elétrons e o tratamento térmico em diferentes atmosferas também alteram as propiedades não lineares desses sistemas, uma vez que influencia na formação da barreira Schottky. Neste estudo foi realizada uma revisão sobre trabalhos relacionados a nova composição de cerâmica varistora a base de óxido de tungstênio (WO₃).