Amorphous SnO thin films were prepared on quartz and 190 nm <mml:math display="inline"><mml:mrow><mml:msub><mml:mrow><mml:mtext>SiO</mml:mtext></mml:mrow><mml:mrow><mml:mn>2</mml:mn></mml:mrow></mml:msub><mml:mo>/</mml:mo><mml:mtext>Si</mml:mtext><mml:mrow><mml:mo>(</mml:mo><mml:mrow><mml:mn>001</mml:mn></mml:mrow><mml:mo>)</mml:mo></mml:mrow></mml:mrow></mml:math>SiO2/Si(001) substrates by electron beam evaporation. X-ray diffraction results reveal that amorphous SnO transforms into polycrystalline <mml:math display="inline"><mml:mrow><mml:mi>α</mml:mi><mml:mtext>-SnO</mml:mtext></mml:mrow></mml:math>α-SnO (tetragonal litharge structure) after rapid thermal annealing in Ar ambient at <mml:math display="inline"><mml:mrow><mml:mn>350</mml:mn><mml:mo>–</mml:mo><mml:mn>400</mml:mn><mml:mo>°</mml:mo><mml:mi mathvariant="normal">C</mml:mi></mml:mrow></mml:math>350–400°C and starts decomposing into <mml:math display="inline"><mml:mrow><mml:mi>o</mml:mi><mml:msub><mml:mrow><mml:mtext>-SnO</mml:mtext></mml:mrow><mml:mrow><mml:mn>2</mml:mn></mml:mrow></mml:msub></mml:mrow></mml:math>o-SnO2 (orthorhombic structure) with the expulsion of Sn atoms at <mml:math display="inline"><mml:mrow><mml:mn>450</mml:mn><mml:mo>–</mml:mo><mml:mn>500</mml:mn><mml:mo>°</mml:mo><mml:mi mathvariant="normal">C</mml:mi></mml:mrow></mml:math>450–500°C . The optical properties were characterized via spectroscopic ellipsometry. The polycrystalline SnO thin films have a higher refractive index <mml:math display="inline"><mml:mi>n</mml:mi></mml:math>n and a narrower bandgap <mml:math display="inline"><mml:mrow><mml:msub><mml:mi>E</mml:mi><mml:mi mathvariant="normal">g</mml:mi></mml:msub></mml:mrow></mml:math>Eg than the amorphous ones, which is due to the polarizability enhancement in the crystallization process. Moreover, the relationship between <mml:math display="inline"><mml:mi>n</mml:mi></mml:math>n and <mml:math display="inline"><mml:mrow><mml:msub><mml:mi>E</mml:mi><mml:mi mathvariant="normal">g</mml:mi></mml:msub></mml:mrow></mml:math>Eg of the amorphous and polycrystalline SnO thin films can be explained by the “Moss rule” law, and a decreasing trend in <mml:math display="inline"><mml:mi>n</mml:mi></mml:math>n was verified with the transformation from SnO to <mml:math display="inline"><mml:mrow><mml:msub><mml:mrow><mml:mtext>SnO</mml:mtext></mml:mrow><mml:mrow><mml:mn>2</mml:mn></mml:mrow></mml:msub></mml:mrow></mml:math>SnO2 . Bottom-gate-type thin film transistors (TFTs) employing polycrystalline SnO channels on the <mml:math display="inline"><mml:mrow><mml:msub><mml:mrow><mml:mtext>SiO</mml:mtext></mml:mrow><mml:mrow><mml:mn>2</mml:mn></mml:mrow></mml:msub><mml:mo>/</mml:mo><mml:mtext>Si</mml:mtext><mml:mrow><mml:mo>(</mml:mo><mml:mrow><mml:mn>001</mml:mn></mml:mrow><mml:mo>)</mml:mo></mml:mrow></mml:mrow></mml:math>SiO2/Si(001) substrates exhibit p-type field-effect transistor characteristics. The optimum field-effect mobilities <mml:math display="inline"><mml:mrow><mml:msub><mml:mi>μ</mml:mi><mml:mrow><mml:mtext>sat</mml:mtext></mml:mrow></mml:msub></mml:mrow></mml:math>μsat and <mml:math display="inline"><mml:mrow><mml:msub><mml:mi>μ</mml:mi><mml:mrow><mml:mtext>lin</mml:mtext></mml:mrow></mml:msub></mml:mrow></mml:math>μlin are 0.46 and <mml:math display="inline"><mml:mrow><mml:mn>0.87</mml:mn><mml:mspace width="0.5em"></mml:mspace><mml:msup><mml:mrow><mml:mtext>cm</mml:mtext></mml:mrow><mml:mrow><mml:mn>2</mml:mn></mml:mrow></mml:msup><mml:mspace width="0.5em"></mml:mspace><mml:msup><mml:mi mathvariant="normal">V</mml:mi><mml:mrow><mml:mo>−</mml:mo><mml:mn>1</mml:mn></mml:mrow></mml:msup><mml:mspace width="0.5em"></mml:mspace><mml:msup><mml:mi mathvariant="normal">s</mml:mi><mml:mrow><mml:mo>−</mml:mo><mml:mn>1</mml:mn></mml:mrow></mml:msup></mml:mrow></mml:math>0.87cm2V−1s−1 , respectively, which are the same order of magnitude as those reported for epitaxial SnO TFTs.

A 5 × 5 ionotronic junctionless indium-tin oxide (ITO) transistor array is reported for emulating a nociceptor network based on controlling the gate-to-channel distance.